半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過(guò)程劃分，半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來(lái)制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體；制造材料主要是將硅晶圓或化合物半導(dǎo)體加工成芯片所需的各類材料；封裝材料則是將制得的芯片封裝切割過(guò)程中所用到的材料。

基體材料

根據(jù)芯片材質(zhì)不同，基體材料主要分為硅晶圓和化合物半導(dǎo)體，其中硅晶圓的使用范圍zui廣，是集成電路制造過(guò)程中*為重要的原材料。

1、硅晶圓

硅晶圓片全部采用單晶硅片，對(duì)硅料的純度要求較高，因此其制造壁壘較高。一般而言，硅片尺寸越大，硅片切割的邊緣損失就越小，每片晶圓能切割的芯片數(shù)量就越多，半導(dǎo)體生產(chǎn)效率越高，相應(yīng)成本越低。

2、化合物半導(dǎo)體

主要是指砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等**、三代半導(dǎo)體。在化合物半導(dǎo)體中，砷化鎵（GaAs）具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、擊穿電壓高等特性，廣泛應(yīng)用于射頻、功率器件、微電子、光電子及guo 防jun工等領(lǐng)域。氮化鎵（GaN）能夠承載更高的能量密度，且可靠性更高，其在手機(jī)、衛(wèi)星、航天等通信領(lǐng)域，以及光電子、微電子、高溫大功率器件和高頻微波器件等非通信領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用；碳化硅（SiC）具有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率等特性，主要作為高功率半導(dǎo)體材料，通常應(yīng)用于汽車及工業(yè)電力電子等領(lǐng)域，在大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域應(yīng)用較為廣泛。